onsemi N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, 195 A, DFNW-5, 表面安装, 5引脚, NVMFWS1D3N04XMT1G, NVM系列
- RS 库存编号:
- 648-511P
- 制造商零件编号:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- 制造商:
- onsemi
N
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 648-511P
- 制造商零件编号:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 195A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | NVM | |
| 包装类型 | DFNW-5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 90W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5.90 mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 195A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 NVM | ||
包装类型 DFNW-5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38.6nC | ||
最大功耗 Pd 90W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1mm | ||
宽度 5.90 mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
长度 4.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor 汽车功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引线封装,设计用于紧凑且高效的设计,包括高热性能。提供可通风侧面选项,用于增强光学检查。AEC-Q101 认证 MOSFET 和 PPAP 功能,适用于汽车应用。
小尺寸
低导通电阻 RDS(on)
低 QG 和电容
可通风凹槽选件
符合 RoHS 标准