制造商编号

onsemi N沟道增强型单MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=7.6 A, 3针, TO-247-3, UF3系列

RS 库存编号:: 648-529
制造商零件编号:: UF3C120400K3S
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型单MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=7.6 A, 3针, TO-247-3, UF3系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 袋，共 2 件）*

RMB207.73

(不含税)

RMB234.73

600 件在 2027年2月17日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	Per Bag*
2 - 8	RMB103.865	RMB207.73
10 +	RMB101.79	RMB203.58

* 参考价格

RS 库存编号:: 648-529
制造商零件编号:: UF3C120400K3S
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N
	产品类型	单MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	7.6A
	最大漏源电压 Vd	1.2kV
	系列	UF3
	包装类型	TO-247-3
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	515mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	27nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最大功耗 Pd	100W
	正向电压 Vf	1.5V
	最高工作温度	175°C
	长度	20.96mm
	高度	5.03mm
	标准/认证	RoHS, Pb-Free
	宽度	15.9mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N
	产品类型单MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 7.6A
	最大漏源电压 Vd 1.2kV
	系列 UF3
	包装类型 TO-247-3
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 515mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最大功耗 Pd 100W
	正向电压 Vf 1.5V
	最高工作温度 175°C
	长度 20.96mm
	高度 5.03mm
	标准/认证 RoHS, Pb-Free
	宽度 15.9mm
	汽车标准否

Datasheet - UF3C120400K3S

COO (Country of Origin):: CH

ON Semiconductor EliteSiC Cascode JFET 将正常接通 SiC JFET 和 Si MOSFET 结合在一个 Cascode 电路配置中创建一个正常关闭设备,提供卓越的切换性能和可靠性。优点包括高效率、更快的频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。这些设备支持标准门驱动器,简化了 Si IGBT 和超级接线器件的更换。特别适用于切换电感负载。

接通电阻 RDS(接通)

最大工作温度为 175 °C

出色的反向恢复

onsemi N沟道增强型单MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=7.6 A, 3针, TO-247-3, UF3系列

批量定价选项

相关链接