onsemi N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=1200 V, 7.6 A, TO-247-3, 通孔安装, 3引脚, UF3C120400K3S, UF3系列
- RS 库存编号:
- 648-529
- 制造商零件编号:
- UF3C120400K3S
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- UF3C120400K3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | UF3 | |
| 包装类型 | TO-247-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 515mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 15.90 mm | |
| 长度 | 20.96mm | |
| 高度 | 5.03mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7.6A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 UF3 | ||
包装类型 TO-247-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 515mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 15.90 mm | ||
长度 20.96mm | ||
高度 5.03mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CH
ON Semiconductor EliteSiC Cascode JFET 将正常接通 SiC JFET 和 Si MOSFET 结合在一个 Cascode 电路配置中创建一个正常关闭设备,提供卓越的切换性能和可靠性。优点包括高效率、更快的频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。这些设备支持标准门驱动器,简化了 Si IGBT 和超级接线器件的更换。特别适用于切换电感负载。
接通电阻 RDS(接通)
最大工作温度为 175 °C
出色的反向恢复
低门充电