Microchip N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, 410 mA, TO-39, 表面安装, 3引脚, 2N6660, 2N6660系列
- RS 库存编号:
- 649-369
- 制造商零件编号:
- 2N6660
- 制造商:
- Microchip
N
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- 制造商零件编号:
- 2N6660
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 410mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | 2N6660 | |
| 包装类型 | TO-39 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 6.25W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 410mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 2N6660 | ||
包装类型 TO-39 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 6.25W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 Lead (Pb)-free/RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
Microchip N 通道增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和经过充分验证的硅栅制造工艺。这种组合产生的器件既具有双极型晶体管的功率处理能力，又具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有 MOS 结构的特点，不会出现热失控和热引起的二次击穿。
无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
低 Ciss 和快速切换速度
出色的热稳定性