Microchip P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, 280 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP0808L-G, VP0808系列
- RS 库存编号:
- 649-535
- 制造商零件编号:
- VP0808L-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB10.71 | RMB53.55 |
| 50 - 245 | RMB9.426 | RMB47.13 |
| 250 - 495 | RMB8.464 | RMB42.32 |
| 500 + | RMB6.698 | RMB33.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 649-535
- 制造商零件编号:
- VP0808L-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 280mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | VP0808 | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 0.080 mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 0.50mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 280mA | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 VP0808 | ||
包装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 0.080 mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 0.50mm | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和经过充分验证的硅栅制造工艺。这种组合产生的器件既具有双极型晶体管的功率处理能力，又具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有 MOS 结构的特点，不会出现热失控和热引起的二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合需要极低阈值电压，高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的各种开关和放大应用。
无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
低 CISS 和快速切换速度
出色的热稳定性
集成源漏二极管
高输入阻抗和高增益