Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 38 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIHR100N60E-T1-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 653-079
- 制造商零件编号:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB102,189.00
(不含税)
RMB115,473.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB34.063 | RMB102,189.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-079
- 制造商零件编号:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 38A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.105Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 347W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.42mm | |
| 宽度 | 8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 38A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.105Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 347W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.42mm | ||
宽度 8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay E 系列功率 MOSFET,600 V 最大漏源电压,38 A 最大连续漏电流 - SIHR100N60E-T1-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业电子产品中的开关和控制任务而设计。它作为表面贴装晶体管运行,适用于功率转换和高压开关环境,在电压处理和耐热性之间实现平衡,适用于要求严苛的组件。
特性和优点：
• 600 V 排放源额定值可实现高电压切换能力 • 38 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.105Ω Rds(on),可最大程度地减少运行过程中的导电损耗 • 347W 功耗可实现持久热负载 • 34nC 典型栅极电荷,可实现高效的栅极驱动控制 • -55°C 至 150°C 工作温度范围支持极端温度操作
应用
• 适用于工业自动化领域的高压电源转换器 • 特别适用于需要稳健开关的电机驱动前端 • 用于开关模式电源,可处理高电压 • 可用于电气系统的功率因数校正级别 • 与高压变频器设计中的栅极驱动器配合使用
组装时需要哪种安装方式?
它专为在PowerPAK封装中进行表面安装而设计,需要标准SMT回流轮廓和适当的铜线排放热量。
栅极驱动电压对开关有何影响?
该设备可耐受与源相比的高达 30V 的栅极电压
利用推荐的栅极电压可优化开启速度,同时避免栅极过电压。
高功率应用需要考虑哪些热因素?
由于功耗额定值为 347 W,需要足够的PCB铜面积和热通道,以将热量从封装中传输,以保持接线温度低于最大限值。
此设备是否适用于汽车设计?
它未指定为汽车级,因此适用性取决于系统级要求和设计人员需要的任何额外资格。