Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 31 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIHR120N60EF-T1GE3, EF系列
- RS 库存编号:
- 653-081
- 制造商零件编号:
- SIHR120N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB89,937.00
(不含税)
RMB101,628.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB29.979 | RMB89,937.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-081
- 制造商零件编号:
- SIHR120N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | EF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.125Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 8mm | |
| 长度 | 10.42mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 EF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.125Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 8mm | ||
长度 10.42mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay EF 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,31 A 最大连续漏电流 - SIHR120N60EF-T1GE3
此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,设计用于工业和电子系统中的开关和功率转换功能。它作为增强模式设备运行,适用于需要稳健高电压处理、快速栅极控制和表面安装组装的应用。
特性和优点：
• 600V 额定值支持高电压开关应用 • 31 A 连续漏电流支持大量负载处理 • 0.125Ω 接通电阻可减少传导损耗 • 45nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • 278W 功耗允许高功率操作 • -55°C 至 150°C 范围支持广泛的热环境
应用
• 适用于高电压SMPS和电源 • 适用于工业电机驱动器和逆变器 • 用于自动化系统中的电感负载切换 • 可用于高电压直流-直流转换器 • 适用于焊接和加热控制中的功率级别
它在印刷电路板组装中使用什么封装和安装方式?
它采用PowerPAK表面贴装封装,采用8针配置,适用于自动安装。
设计人员必须遵守哪些栅极电压限制?
最大栅至源额定电压为 30 V,因此栅极驱动电路应保持在此限值范围内。
高功率任务应如何进行热管理?
设计应考虑 278W 耗散能力,配备合适的 PCB 铜、热通道或散热片,以保持接线温度在限值范围内。
运行期间可预期的最大漏源电压是多少?
该设备额定值可在指定条件下在排放和源之间承受高达 600 V 的电压。