Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 32 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIHR120N60E-T1-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 653-083
- 制造商零件编号:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB88,911.00
(不含税)
RMB100,470.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB29.637 | RMB88,911.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-083
- 制造商零件编号:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 32A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.12Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 10.42mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 32A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.12Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 10.42mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay E 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,32 A 最大连续漏电流 - SIHR120N60E-T1-GE3
此功率 MOSFET 是高电压开关晶体管,设计用于工业系统中的表面贴装功率转换和控制。它可用作N通道增强装置,适用于要求严苛电气环境中的强大耐热性和持久功率处理的应用。
特性和优点：
• 600V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 32 A 连续电流支持大负载电流 • 0.12Ω Rds(on)可在额定条件下最大限度减少传导损耗 • 278W 功耗可实现显著的热输出 • 29nC 典型栅极充电速度切换转换 • 150°C 最高接点温度可承受高热应力
应用
• 适用于高压电机驱动功率级 • 适用于工业设备的开关模式电源 • 用于需要高耗散能力的交流/直流转换器 • 可用于电子镇流器和照明控制电路 • 适用于自动化和控制面板的电源开关
电路板组装时需要哪种安装方式?
它采用无铅PowerPAK表面贴装封装,配有八个引脚,专为焊接到PCB接地和散热通道上进行连接而设计。
我应该允许哪些栅极驱动因素?
栅极-源公差为 ±30V,典型栅极电荷为 29nC,需要一个能够为预期开关频率提供足够电流的驱动器。
其温度范围对部署有何影响?
该设备专为低至 -55°C 和高达 150°C 的工作温度而设计,只要实施热管理,即可在广泛的环境和高接点场景中使用。
哪些电气限制可防止过电压或过度耗散?
最大漏源电压为 600 V,额定功耗为 278 W
设计应包括适当的夹紧和热路径,以防止超出。