Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=600 V, 32 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, E系列
- RS 库存编号:
- 653-084
- 制造商零件编号:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1 件）*
¥38.40
(不含税)
¥43.39
(含税)
有库存
- 4,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB38.40 |
| 10 - 49 | RMB37.30 |
| 50 - 99 | RMB36.10 |
| 100 + | RMB31.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-084
- 制造商零件编号:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 32A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.12Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 8 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 32A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.12Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 8 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 第 4 代 E 系列功率 MOSFET 经优化用于高性能开关应用。它提供低功率数字 (FOM),减少切换和导电损失,并具有低有效电容。采用紧凑型 PowerPAK 8x8LR 封装,特别适用于服务器、电信、照明和工业电源。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准