Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=30 V, Id=2.2 A, 4针, PowerPAK, SI8818EDB系列

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653-090
制造商零件编号:
SI8818EDB-T2-E1
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.2A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SI8818EDB

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.143Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

0.9W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.4nC

最大栅源电压 Vgs

12V

最高工作温度

150°C

长度

0.8mm

标准/认证

No

宽度

0.8mm

高度

0.39mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道 MOSFET 设计用于空间受限系统中的超紧凑型、高效切换。它支持高达 30 V 排水源电压。采用 MICRO FOOT 0.8 mm x 0.8 mm 封装,它使用 TrenchFET 技术提供低 RDS(接通)、快速切换和出色的热性能。

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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