Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=30 V, 680 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIRS4300DP-T1-RE3, SIRS4300DP系列
- RS 库存编号:
- 653-095
- 制造商零件编号:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-095
- 制造商零件编号:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 680A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | SIRS4300DP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00040Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 84nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 6.10mm | |
| 宽度 | 5.10mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 680A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 SIRS4300DP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00040Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 84nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 6.10mm | ||
宽度 5.10mm | ||
高度 0.95mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIRS4300DP 系列单 MOSFET,30 V 最大漏源电压,680 A 最大连续漏电流 - SIRS4300DP-T1-RE3
此单 MOSFET 器件是一款 N 通道增强型半导体,专为工业电子产品中的高电流开关和功率转换功能而设计。它采用 8 针表面贴装 PowerPAK 封装,适用于需要紧凑、低损耗开关的严苛热电气环境。
特性和优点：
• 30 V 排放额定值可实现低电压功率级设计 • 680 A 连续排放电流支持重负载切换 • 0.00040Ω Rds(on) 可减少传导损耗,提高效率 • 84nC 典型栅极电荷可实现更快的栅极转换 • 278W 功耗可管理高能量吞吐量 • 工作温度高达 150°C,适用于高温应用
应用
• 适用于自动化系统中的高电流直流-直流转换器 • 适用于电机驱动控制器的功率级 • 用于电源模块的同步整流 • 可用于工业配电中的负载切换 • 与数据中心电源机架的并行阵列配合使用
为实现可靠开关,可接受的栅极驱动差值是多少?
该设备可耐受高达 20V 的栅极电压
设计的栅极驱动器可在此限制范围内工作,并达到预期开关速度的典型 84nC 电荷。
如何在 PCB 上进行热管理?
由于具有 278 W 耗散能力,可使用大型铜面积、热通道和直接散热器连接到 PowerPAK 暴露垫,以保持接线温度在限制范围内。
它是否可以并联以增加电流容量?
只要采用匹配的 Rds(on) 和适当的电流共享措施,以及精心的栅极驱动时序以避免不平衡,即可实现并行连接。
它在服务过程中可承受的环境温度范围是多少?
该组件专为低至 -55°C 和高达 150°C 的接线或外壳条件而设计,符合系统热设计的要求。
哪些封装因素会影响布局密度?
8 引脚 PowerPAK 表面贴装格式允许紧凑布置,但需要注意铜散热片和高电流路径的轨迹宽度。