Vishay 双N沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, 7.1 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIS9122DN-T1-GE3, SIS9122系列
- RS 库存编号:
- 653-097
- 制造商零件编号:
- SIS9122DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥12,642.00
(不含税)
¥14,286.00
(含税)
有库存
- 另外 6,000 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB4.214 | RMB12,642.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-097
- 制造商零件编号:
- SIS9122DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SIS9122 | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.16Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 17.8W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大连续漏极电流 Id 7.1A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SIS9122 | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.16Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.8nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 17.8W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 汽车级双 N 通道 MOSFET 设计用于紧凑型电源系统中的高效切换。它支持高达 100 V 排水源电压。采用 PowerPAK 1212-8 Dual 封装,它使用 TrenchFET Gen IV 技术优化电气和热性能。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准