Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, 63 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SISS32LDN-T1-BE3, SISS32LDN系列

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RS 库存编号:
653-103
制造商零件编号:
SISS32LDN-T1-BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

63A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerPAK

系列

SISS32LDN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0072Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17.7nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

65.7W

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

3.3mm

标准/认证

RoHS

高度

0.75mm

长度

3.3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
TH

Vishay SISS32LDN 系列单 MOSFET,80 V 最大漏源电压,63 A 最大连续漏电流 - SISS32LDN-T1-BE3


此单 MOSFET 器件是一款高电流 N 通道晶体管,专为工业电子产品中的表面贴装电源开关而设计。它作为增强模式 MOSFET 运行,适用于需要高排放源电压和强大的电流处理的驱动和开关应用。该组件采用紧凑型 PowerPAK 封装,专为 SMD 组装而设计,符合 RoHS 要求。

特性和优点：


• 80V 漏源额定值可实现高电压切换能力 • 63 A 连续排放电流支持重负载传导 • 低 RDS(on) 0.0072Ω,可最大程度减少负载下的传导损耗 • 65.7W 功耗可实现持久的热吞吐量 • 17.7nC 典型栅极电荷提供受控开关能量 • 最高工作温度为150°C,可在高温下运行

应用


• 适用于自动化系统中的电机驱动半桥级 • 适用于配电模块中的直流-直流转换器 • 用于工业控制设备的负载切换 • 可用于电池管理和高电流分配

设计人员应遵守哪些栅极电压限制?


栅极到源极电压不得超过 ±20V,以防止栅极介电应力。

印刷电路板布局时有哪些热因素?


鉴于65.7W的耗散额定值,设计人员应为散热提供足够的铜面积和热通道,并在需要时连接到散热平面。

开关行为对电磁辐射有何影响?


17.7nC 栅极电荷影响上升和下降时间

控制栅极驱动转换速率并添加缓冲器,有助于管理开关瞬变和电磁干扰。

该设备在操作过程中可承受哪些极端环境?


它设计用于低至-55°C和高达150°C的接点温度,具有广泛的环境范围兼容性。