Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, 78 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIR4406DP系列
- RS 库存编号:
- 653-108
- 制造商零件编号:
- SIR4406DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1 件）*
¥4.71
(不含税)
¥5.32
(含税)
有库存
- 5,990 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB4.71 |
| 25 - 99 | RMB4.61 |
| 100 - 499 | RMB4.51 |
| 500 - 999 | RMB3.81 |
| 1000 + | RMB3.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-108
- 制造商零件编号:
- SIR4406DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 78A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | SIR4406DP | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00475Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 41.6W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.9nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 78A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 SIR4406DP | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00475Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 41.6W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.9nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.04mm | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 通道 MOSFET 设计用于紧凑型电源系统中的高效切换。它支持高达 40 V 排水源电压。采用 PowerPAK SO-8 封装,它使用 TrenchFET Gen IV 技术提供低门充电 (Qg)、优化的切换特性和出色的热性能。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准