制造商编号

Vishay N沟道增强型单MOSFET, Vds=150 V, Id=18 A, 8针, PowerPAK, SIR5712DP系列

RS 库存编号:: 653-111
制造商零件编号:: SIR5712DP-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型单MOSFET, Vds=150 V, Id=18 A, 8针, PowerPAK, SIR5712DP系列

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RS 库存编号:: 653-111
制造商零件编号:: SIR5712DP-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	单MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	18A
	最大漏源电压 Vd	150V
	系列	SIR5712DP
	包装类型	PowerPAK
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0555Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	40W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	5.8nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	宽度	5.15mm
	长度	6.15mm
	标准/认证	No
	高度	1.04mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型单MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 18A
	最大漏源电压 Vd 150V
	系列 SIR5712DP
	包装类型 PowerPAK
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0555Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 40W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.8nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	宽度 5.15mm
	长度 6.15mm
	标准/认证 No
	高度 1.04mm
	汽车标准否

Datasheet - SIR5712DP-T1-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay N 通道 MOSFET 设计用于功率密集系统中的高效切换。它支持高达 150 V 排水源电压。采用 PowerPAK SO-8 封装,它使用 TrenchFET Gen V 技术提供低 RDS(接通)、降低门充电和出色的热性能。

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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