Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=100 V, Id=19.6 A, 4针, PowerPAK, SQJ190系列

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Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=100 V, Id=19.6 A, 4针, PowerPAK, SQJ190系列
RS 库存编号
653-120

1 带 1 套

RMB9.85

(不含税)

RMB11.13

(含税)

RS 库存编号:
653-119
制造商零件编号:
SQJ190ELP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

19.6A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PowerPAK

系列

SQJ190

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.058Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

45W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

高度

1.07mm

长度

5.13mm

标准/认证

AEC-Q101

宽度

6.22mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay 汽车级 N 通道 MOSFET 设计用于在功率密集环境中进行高效切换。它支持高达 100 V 排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作。采用 PowerPAK SO-8L 封装,使用 TrenchFET 技术优化热性能和电气性能。

符合 AEC Q101 标准

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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