Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, 19.6 A, PowerPAK, 表面安装, 4引脚, SQJ190ELP-T1_GE3, SQJ190系列
- RS 库存编号:
- 653-119
- 制造商零件编号:
- SQJ190ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
N
小计（1 卷，共 3000 件）*
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB2.559 | RMB7,677.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-119
- 制造商零件编号:
- SQJ190ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SQJ190 | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.058Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 长度 | 5.13mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 19.6A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SQJ190 | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.058Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.07mm | ||
长度 5.13mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay 汽车级 N 通道 MOSFET 设计用于在功率密集环境中进行高效切换。它支持高达 100 V 排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作。采用 PowerPAK SO-8L 封装,使用 TrenchFET 技术优化热性能和电气性能。
符合 AEC Q101 标准
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准