Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=150 V, 119 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIRS5702DP-T1-RE3, SIRS5702DP系列
- RS 库存编号:
- 653-130
- 制造商零件编号:
- SIRS5702DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
N
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|---|---|---|
| 3000 + | RMB17.911 | RMB53,733.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-130
- 制造商零件编号:
- SIRS5702DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 119A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | SIRS5702DP | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0072Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最大功耗 Pd | 245W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.10 mm | |
| 长度 | 6.10mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 119A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 SIRS5702DP | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0072Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最大功耗 Pd 245W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.10 mm | ||
长度 6.10mm | ||
高度 0.95mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay N 通道 MOSFET 设计用于功率密集系统中的高效切换。它支持高达 150 V 排水源电压。采用 PowerPAK SO-8S 封装,它使用 TrenchFET Gen V 技术提供超低 RDS(on)、降低门充电和出色的热性能。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准