Vishay N沟道增强型单MOSFET, Vds=150 V, Id=119 A, 8针, PowerPAK, SIRS5702DP系列

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653-130
制造商零件编号:
SIRS5702DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

单MOSFET

最大连续漏极电流 Id

119A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

PowerPAK

系列

SIRS5702DP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0072Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

44nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

245W

最高工作温度

150°C

高度

950μm

长度

6.1mm

宽度

5.1mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay N 通道 MOSFET 设计用于功率密集系统中的高效切换。它支持高达 150 V 排水源电压。采用 PowerPAK SO-8S 封装,它使用 TrenchFET Gen V 技术提供超低 RDS(on)、降低门充电和出色的热性能。

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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