Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, 42.8 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SISS5812DN系列
- RS 库存编号:
- 653-133
- 制造商零件编号:
- SISS5812DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-133
- 制造商零件编号:
- SISS5812DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | SISS5812DN | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0135Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 44.6W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.40 mm | |
| 高度 | 0.83mm | |
| 长度 | 3.40mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 42.8A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 SISS5812DN | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0135Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 44.6W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.40 mm | ||
高度 0.83mm | ||
长度 3.40mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay TrenchFET Gen V N 通道功率 MOSFET 的额定电压为 80 V 排放源。采用紧凑型 PowerPAK 1212-8S 封装,特别适用于 AI 服务器电源解决方案、直流/直流转换器和负载切换。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准