Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=72 V, 54 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SQS178ELNW-T1_GE3, SQS178EL系列
- RS 库存编号:
- 653-134
- 制造商零件编号:
- SQS178ELNW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
N
小计（1 卷，共 3000 件）*
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB3.82 | RMB11,460.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-134
- 制造商零件编号:
- SQS178ELNW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 54A | |
| 最大漏源电压 Vd | 72V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | SQS178EL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.012Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 54A | ||
最大漏源电压 Vd 72V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 SQS178EL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.012Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 汽车级 N 通道 MOSFET 设计用于在紧凑型、热要求严苛的环境中进行高效切换。它支持高达 72 V 排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作。采用 PowerPAK 1212-8SLW 封装,使用 TrenchFET Gen IV 技术优化电气和热性能。
符合 AEC Q101 标准
无铅
无卤素
可通风侧面接线端子
符合 RoHS 标准