Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, EF系列
- RS 库存编号:
- 653-138
- 制造商零件编号:
- SIHG11N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商:
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | EF | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.483Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最大功耗 Pd | 78W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 20.70mm | |
| 长度 | 16.25mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 EF | ||
包装类型 TO-247AC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.483Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最大功耗 Pd 78W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 20.70mm | ||
长度 16.25mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay EF 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,78 W 功耗 - SIHG11N80AEF-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为需要稳健电压处理和通孔安装的电力电子任务而设计。它作为增强模式晶体管运行,适用于需要高漏源断路和传统栅极配置的应用。该封装支持电线引线组件,专为工业和电子系统集成而设计。
特性和优点：
• 800V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 8A 连续漏电流支持中等负载流量 • 0.483Ω Rds(on)可最大程度地减少负载下的传导损耗 • 41nC 栅极电荷可减少开关能量和驱动需求 • 78W 功耗可实现持久热负载 • 30V 最大栅极驱动可保持栅极绝缘完整性
应用
• 适用于高电压电源和转换器 • 适用于工业控制中的电机驱动变频器级别 • 用于开关模式电源电子设备和转换器 • 可用于中等功率 PFC 和升压调节器设计
它能在什么温度范围内可靠运行?
它的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于冷启动和高温环境。
该设备如何安装在典型组件中?
它采用通孔 TO-247AC 封装,带三个引脚,用于牢固连接电路板和散热器安装。
设计人员应遵守哪些栅极驱动限制?
栅极到源极电压不得超过 30 V,以避免损坏栅极介电体。
热管理是否有处理注意事项?
78W 耗散数字需要适当的散热和热接口方法,以保持接线温度在指定限值范围内。