Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP11N80AEF-GE3, EF系列
- RS 库存编号:
- 653-139
- 制造商零件编号:
- SIHP11N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 653-139
- 制造商零件编号:
- SIHP11N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | EF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.483Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 78W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 EF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.483Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 78W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 功率 MOSFET 设计用于高电压切换应用。它具有快速主体二极管、低优势数字 (FOM) 和降低有效电容,以提高效率。它采用 TO-220AB 封装,特别适用于服务器、电信、SMPS 和功率因数校正电源。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准