Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, EF系列
- RS 库存编号:
- 653-140
- 制造商零件编号:
- SIHP11N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | EF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.483Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 78W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 EF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.483Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 78W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay EF 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,8 A 连续漏电流 - SIHP11N80AEF-GE3
此功率 MOSFET 是一种高电压开关设备,设计用于工业电源转换和控制系统。它作为通孔 TO‐220AB 封装的 N 通道增强模式晶体管运行,为要求在严苛环境中进行板级安装和热管理的分立组件的工程师提供实用选择。
特性和优点：
• 800V 排放额定值,支持高电压开关应用 • 8A 连续漏电流,支持中等负载电流 • Rds(on) 0.483Ω,可减少负载下的传导损耗 • 78W 功耗,可实现有效的热处理 • 27nC 典型栅极电荷,用于可预测的开关动态 • 150°C 最高工作温度,适用于高温应用
应用
• 适用于工业电机驱动前端,可处理高电压 • 适用于需要高电压开关元件的电源 • 用于中等功率电气系统中的逆变器级 • 可用于自动化设备的制动和缓冲电路
为确保安全运行,应遵守哪些栅极电压范围?
该设备需要与其源相比的最大±30V 范围内的栅极偏移,以避免栅极过压。
封装对充满电板的热管理有何影响?
TO‐220AB 通孔格式允许对后片直接散热,从而改善对外部散热器的传导,并在适当的冷却条件下帮助去除 78W 的耗散功率。
哪些环境条件限制了其部署?
该组件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C
系统热设计必须确保接点温度保持低于 150°C 限制。
栅极充电数值带来了哪些切换考虑?
典型栅极电荷为 27nC,设计人员可在选择栅极驱动器和预测开/关定时时评估驱动电流要求和开关损耗。