Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 96 A, PowerPAK, 贴片安装, 8引脚, SIRA10DDP系列
- RS 库存编号:
- 653-142
- 制造商零件编号:
- SIRA10DDP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-142
- 制造商零件编号:
- SIRA10DDP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 96 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 系列 | SIRA10DDP | |
| 封装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 96 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
系列 SIRA10DDP | ||
封装类型 PowerPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay N 通道 MOSFET 设计用于紧凑型电源系统中的高效切换。它支持高达 30 V 排水源电压。采用 PowerPAK SO-8 封装,它使用 TrenchFET Gen IV 技术提供超低 RDS(on)、快速切换和出色的热性能。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
无卤素
符合 RoHS 标准