Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=20 V, 172 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SISS5208DN系列
- RS 库存编号:
- 653-149
- 制造商零件编号:
- SISS5208DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 653-149
- 制造商零件编号:
- SISS5208DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 172A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | SISS5208DN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0013Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 56.8W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 3.40mm | |
| 长度 | 3.40mm | |
| 高度 | 0.83mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 172A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 SISS5208DN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0013Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 56.8W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24.6nC | ||
最大栅源电压 Vgs 8V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 3.40mm | ||
长度 3.40mm | ||
高度 0.83mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SISS5208DN系列单 MOSFET,20 V最大漏源电压,172 A最大连续漏电流 - SISS5208DN-T1-GE3
这款单 MOSFET 是表面贴装 N 通道增强装置,专为紧凑型电源组件中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要快速开关和大量连续排放能力的应用,同时保持高效的热性能。
特性和优点：
• 172 A 连续漏电流可实现高负载处理 • 20 V 漏源额定值支持低电压电源导轨 • 0.0013Ω Rds(on) 可减少传导损耗 • 24.6nC 栅极电荷,可控制开关动态 • 56.8W 功耗可管理负载下的热应力 • 150°C的最高工作温度允许高温环境使用
应用
• 适用于自动化设备的电机驱动级 • 适用于电源中的高电流直流-直流转换器 • 用于工业控制面板的负载切换 • 可用于机器人中的 H 桥输出级 • 与变频器模块中的高功率 MOSFET 阵列配合使用
在栅极驱动器设计中,我应该考虑哪种栅极电压范围?
该设备可接受高达 8V 的栅极-源电压,因此可在此限值内提供 Vgs 的栅极驱动器可确保安全运行。
封装如何影响PCB布局和热路径?
PowerPAK 表面贴装封装将热和电气连接集中在小尺寸上,因此建议使用铜焊接和热通道来消散设备的 56.8 W 功率损耗。
为实现可靠运行,允许的环境条件是什么?
该组件的额定工作温度低至-55°C和高达150°C,可在恶劣的工业温度范围内使用。
浪涌电流或瞬态电流在设计中应如何考虑?
具有0.0013Ω的低Rds(on)和高连续电流容量,应对浪涌能力和PCB跟踪电流额定值进行瞬态应变评估,以防止过度应力。