Vishay P型沟道增强型单 MOSFET, Vds=-40 V, -4.1 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2389CES系列

RS 库存编号:: 653-160
制造商零件编号:: SQ2389CES-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型单 MOSFET, Vds=-40 V, -4.1 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2389CES系列

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制造商零件编号:: SQ2389CES-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	单 MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	-4.1A
	最大漏源电压 Vd	-40V
	包装类型	SOT-23
	系列	SQ2389CES
	安装类型	PCB
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.094Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12nC
	最大功耗 Pd	3W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-1.2V
	最高工作温度	175°C
	宽度	2.64mm
	长度	3.04mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型单 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id -4.1A
	最大漏源电压 Vd -40V
	包装类型 SOT-23
	系列 SQ2389CES
	安装类型 PCB
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.094Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC
	最大功耗 Pd 3W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -1.2V
	最高工作温度 175°C
	宽度 2.64mm
	长度 3.04mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQ2389CES-T1_GE3

Vishay SQ2389CES 系列单 MOSFET,-40 V 最大漏源电压,-4.1 A 最大连续漏电流 - SQ2389CES-T1_GE3

此单 MOSFET 设备是 P 通道增强模式晶体管,设计用于汽车和工业控制环境中的印刷电路板。它提供高温运行和低正向电压,适用于需要紧凑型 SOT‐23 封装和汽车级坚固性的系统中的开关和保护作用。

特性和优点：

• -40V 额定值可处理中等负轨道电压,用于切换
• 0.094 Ω RDS(on)可最大程度地减少负载运行期间的传导损耗
• -4.1 A 连续漏电流支持印刷电路板上的中等功率负载
• 12 nC 典型栅极电荷可减少驱动能量,实现更快的切换
• 3W 功耗可在高功率水平下持续运行
• -55°C 至 175°C 范围适用于扩展的热环境

应用

• 适用于汽车电子模块中的高侧切换
• 特别适用于电池管理系统的负载保护
• 用于车辆电子设备中的反极性保护
• 可用于工业自动化控制器的电源开关

在 PCB 封装上,我应该考虑哪种封装?

该设备采用三引线 SOT‐23 封装,需要与标准 SOT‐23 接地模式兼容的小型表面贴装封装。

栅极驱动电压对系统中的使用有何影响?

栅极可驱动高达 20 V

确保栅极源移动保持在该限制范围内,以避免设备压力。

持续运行时需要考虑哪些热因素?

最大接点温度为 175 °C,耗散电流为 3 W,建议在连续高功率使用时进行热管理,如铜浆或散热片。

它是否能满足汽车环境需求?

它符合AEC‐Q101应力测试标准,并符合RoHS标准,符合汽车组件要求。

预期的开关特性是什么?

典型栅极电荷为 12 nC,表示充电要求低,支持相对较低的开关转换驱动能量。

Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, -4.1 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2389CES系列

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