Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, TO-263, 通孔安装, 3引脚, SIHB155N60EF-GE3, EF系列
- RS 库存编号:
- 653-175
- 制造商零件编号:
- SIHB155N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 653-175
- 制造商零件编号:
- SIHB155N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | EF | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.159Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 长度 | 2.79mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 EF | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.159Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
长度 2.79mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay 第 4 代 E 系列功率 MOSFET 具有快速主体二极管,可提高切换性能。它提供低功率数字 (FOM)、降低有效电容和优化热行为。设计用于服务器、电信、SMPS 和功率因数校正电源,它在要求严苛的电源应用中提供可靠的效率。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准