Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, TO-263, 通孔安装, 3引脚, SIHB155N60EF-GE3, EF系列

RS 库存编号:: 653-175
制造商零件编号:: SIHB155N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, TO-263, 通孔安装, 3引脚, SIHB155N60EF-GE3, EF系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	21A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-263
	系列	EF
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.159Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	25nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	179W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	9.65mm
	长度	2.79mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 21A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-263
	系列 EF
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.159Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 179W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 9.65mm
	长度 2.79mm
	汽车标准否

Datasheet - SIHB155N60EF-GE3

Vishay EF 系列功率 MOSFET,600 V 最大漏源电压,21 A 最大连续漏电流 - SIHB155N60EF-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业电子产品中的功率转换和控制而设计。它作为增强模式晶体管运行,适用于通孔安装,适用于需要在高电压和电流下稳健切换的应用。

特性和优点：

• 600V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 21 A 连续漏电流支持大量负载处理 • 0.159 Ω Rds(on) 可减少传导损耗,实现高效运行 • 179W 功耗可实现持续的热负载管理 • 25 nC 典型栅极电荷,便于快速切换转换 • 30V 最大栅极容差允许常见栅极驱动电压

应用

• 适用于自动化设备的高压电源 • 特别适用于需要通孔组件的电机驱动阶段 • 用于高耗散的工业开关模式电源 • 可用于电气系统中的电源转换模块 • 适用于需要通孔部件的原型设计和可维修安装

热管理适用哪些安装因素?

该设备使用 TO-263 通孔封装,在适当的冷却条件下,可利用大量散热器或印刷电路板铜面积来消散高达 179 W。

栅极电荷对栅极驱动设计有何影响?

在额定栅极驱动时,典型栅极电荷为 25 nC,影响开关损耗,并决定驱动电流能力的预期上升和下降时间。

运行期间的预期温度范围是多少?

该组件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,需要合适的热设计,以保持接点温度在限值范围内。

使用过程中对栅极电压是否有限制?

栅极源电压不得超过 30 V,以防止栅极氧化应力并确保长期可靠性。

哪些电气特性会影响电源效率?

低 Rds(on) 和 600 V 漏电能力的组合可减少高电压转换器拓扑中的传导和开关损耗。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, TO-263, 通孔安装, 3引脚, SIHB155N60EF-GE3, EF系列

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