Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=600 V, 51 A, PowerPAK, PCB安装, 4引脚, SIHM080N60E-T1-GE3, SIHM080N60E系列
- RS 库存编号:
- 653-177
- 制造商零件编号:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥127,086.00
(不含税)
¥143,607.00
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB42.362 | RMB127,086.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-177
- 制造商零件编号:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 51A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SIHM080N60E | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | PCB安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.084Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 500W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 7.9 mm | |
| 长度 | 8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 51A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SIHM080N60E | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 PCB安装 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.084Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 500W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 7.9 mm | ||
长度 8mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 功率 MOSFET 是第 4 代 E 系列 MOSFET,设计用于要求严苛的应用中的高效切换。它具有低功率数字 (FOM)、降低有效电容和优化热性能。采用 PowerPAK 8x8L 封装,特别适用于服务器、电信、SMPS 和功率因数校正电源。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准