Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 51 A, PowerPAK, PCB安装, 4引脚, E系列

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653-178
制造商零件编号:
SIHM080N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

51A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

E

包装类型

PowerPAK

安装类型

PCB

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.084Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

500W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

宽度

7.9mm

标准/认证

RoHS

长度

8mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay E 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,51 A 漏电流 - SIHM080N60E-T1-GE3


此功率 MOSFET 是一种高电压开关设备,专为工业电子产品中的功率转换和控制应用而设计。它可用作增强模式 N 通道晶体管,设计用于在 PCB 安装组件上运行时处理高排放到源电压。其结构适用于严苛的热环境和标准制造过程。

特性和优点:


• 600 V 额定值,适用于高电压开关应用 • 51 A 连续漏电流,可处理大量负载 • 0.084 Ω Rds(on),可减少传导损耗 • 42 nC 典型栅极电荷,用于可预测的栅极驱动尺寸 • 500W 功耗,可提高功率处理能力 • 150°C的最高工作温度,可耐受高温

应用


• 适用于工业自动化领域的开关模式电源 • 适用于制造设备中的电机驱动变频器级别 • 用于配电中的高电压直流-直流转换器 • 可用于测试架中的硬切换拓扑 • 适用于可再生能源逆变器中的中间电路

电路实施时需要哪种安装方式?


它设计用于PCB安装,使用带四引脚的PowerPAK封装,便于热和电气连接。

如何选择栅极驱动电压?


栅极驱动振幅不得超过 ±30V 栅极-源极限,应选择以平衡切换速度与 42 nC 栅极电荷以控制损耗。

它的工作环境温度范围是多少?


该设备支持低至-55°C和高达150°C的接点温度下运行,可在广泛的环境条件下使用。

该封装如何帮助热管理?


PowerPAK 形状因数为 PCB 提供紧凑型热路径,有助于在适当的板级冷却策略下消散高达指定的 500 W。