Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 51 A, PowerPAK, PCB安装, 4引脚, SIHM080N60E系列
- RS 库存编号:
- 653-178
- 制造商零件编号:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-178
- 制造商零件编号:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 51 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 系列 | SIHM080N60E | |
| 封装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 51 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
系列 SIHM080N60E | ||
封装类型 PowerPAK | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 功率 MOSFET 是第 4 代 E 系列 MOSFET,设计用于要求严苛的应用中的高效切换。它具有低功率数字 (FOM)、降低有效电容和优化热性能。采用 PowerPAK 8x8L 封装,特别适用于服务器、电信、SMPS 和功率因数校正电源。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
无卤素
符合 RoHS 标准