Vishay 双N沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, 8 A, SO-8, 通孔安装, 8引脚, SQ4940CEY-T1_GE3, SQ4940CEY系列
- RS 库存编号:
- 653-183
- 制造商零件编号:
- SQ4940CEY-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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- 653-183
- 制造商零件编号:
- SQ4940CEY-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | SQ4940CEY | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.024Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 4W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 SQ4940CEY | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.024Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 4W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.2nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay 汽车级双 N 通道 MOSFET 设计用于高性能开关应用。它在 40 V 排水源电压下工作,可耐受高达 175 °C 的温度,使其特别适用于要求严苛的环境。此设备采用 TrenchFET 技术构建,并采用紧凑型 SO-8 封装。
符合 AEC Q101 标准
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准