Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-100 V, -16 A, PowerPAK, PCB安装, 8引脚, SQS201CENW系列
- RS 库存编号:
- 653-189
- 制造商零件编号:
- SQS201CENW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 653-189
- 制造商零件编号:
- SQS201CENW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -16A | |
| 最大漏源电压 Vd | -100V | |
| 系列 | SQS201CENW | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0800Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 宽度 | 3.30mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 0.41mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -16A | ||
最大漏源电压 Vd -100V | ||
系列 SQS201CENW | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0800Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.30mm | ||
宽度 3.30mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 0.41mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SQS201CENW系列单 MOSFET,-100 V 最大漏源电压,-16 A 最大连续漏电流 - SQS201CENW-T1_GE3
这款单 MOSFET 是 P 通道增强装置,专为电子系统中的电源开关功能而设计,尤其适用于需要汽车级坚固性的应用场景。它专为采用PowerPAK封装的PCB安装而设计,在电流处理和电压能力之间实现平衡,适用于严苛的工业和车辆控制环境。
特性和优点：
• P 通道设备,可在电路中实现高侧切换 • 100 V 漏源额定值,可实现大电压余额 • -16A 连续漏电流,提供强大的负载能力 • 0.08Ω Rds(on),可最大程度地减少负载下的传导损耗 • 26nC 典型栅极电荷,支持中等开关速度 • 62.5W 功耗可处理显著的热应力
应用
• 适用于汽车模块中的高侧电源开关 • 适用于电机驱动保护和控制电路 • 用于电池管理和配电系统 • 可用于工业自动化逻辑电平功率级别
在设计过程中,应遵守哪些栅极电压限制?
栅极到源极限不得超过 20V,以防止设备压力。
该设备在极端温度下的实际表现如何?
它的工作温度范围为-55°C至175°C,可在恶劣的热环境中使用,而不会超过其额定限值。
哪些封装因素会影响PCB布局和冷却?
PowerPAK 8 引脚封装影响热传导路径,并需要足够的 PCB 铜散热以利用 62.5W 功率处理能力。
是否有特定标准影响汽车用途的选择?
它符合AEC‐Q101汽车认证,表明它适用于该标准下的车辆电子应用。