Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=100 V, Id=25.7 A, 8针, PowerPAK, SIR4156LDP系列

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653-190
制造商零件编号:
SIR4156LDP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

25.7A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

SIR4156LDP

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.033Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.8nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

43W

最高工作温度

150°C

长度

6.15mm

标准/认证

No

宽度

5.15mm

高度

1.72mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道 MOSFET 设计用于紧凑型电源系统中的高效切换。它支持高达 100 V 排水源电压。采用 PowerPAK SO-8 封装,它使用 TrenchFET Gen IV 技术提供低 RDS(接通)、快速切换和优化的热性能。

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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