Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 90.9 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIR5607DP-T1-UE3, SIR5607DP系列
- RS 库存编号:
- 653-196
- 制造商零件编号:
- SIR5607DP-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-196
- 制造商零件编号:
- SIR5607DP-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 90.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | SIR5607DP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.007Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31.7nC | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 宽度 | 5.26 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 90.9A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 SIR5607DP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.007Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31.7nC | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.12mm | ||
长度 6.25mm | ||
宽度 5.26 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay P 通道 MOSFET 设计用于在紧凑型电源系统中进行高效切换。它支持高达 60 V 排水源电压,并安装在 PowerPAK SO-8 封装中。它采用 TrenchFET Gen V 技术构建,提供非常低的 RDS(on),可最大程度地减少电压下降和导电损失。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准