STMicroelectronics N沟道增强型, Vds=900 V, Id=110 A, 3针, HIP-247-3, STPOWER Gen3 SiC MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 671-931
- 制造商零件编号:
- SCT012W90G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 671-931
- 制造商零件编号:
- SCT012W90G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 900V | |
| 包装类型 | HIP-247-3 | |
| 系列 | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 138nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 625W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 5.15mm | |
| 宽度 | 15.75mm | |
| 长度 | 35.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 900V | ||
包装类型 HIP-247-3 | ||
系列 STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 15.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 138nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 625W | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
最高工作温度 200°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 5.15mm | ||
宽度 15.75mm | ||
长度 35.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
相关链接
- STMicroelectronics N型沟道 增强型, Vds=1200 V, 56 A, Hip-247-4, 通孔安装, 4引脚, STPOWER Gen3 SiC MOSFET系列, SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics N型沟道 增强型, Vds=650 V, 60 A, HU3PAK, 表面安装, 7引脚, STPOWER Gen3 SiC MOSFET系列, SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics N型沟道 增强型, Vds=40 V, 144 A, Hip-247-4, 通孔安装, 4引脚, STPOWER Gen3 SiC系列, STL140N4LF8
- STMicroelectronics N型沟道 增强型, Vds=650 V, 55 A, H2PAK-7, 表面安装, 7引脚, STPOWER Gen3 SiC MOSFET系列, SCT018H65G3-7
- STMicroelectronics N型沟道 消耗型 SiC 电源模块, Vds=1200 V, 12 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCT10N120AG, SCT系列
- STMicroelectronics N型沟道 消耗型 SiC 电源模块, Vds=1200 V, 16 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCT20N120AG, SCT系列
- STMicroelectronics N型沟道 增强型, Vds=650 V, 55 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SiC MOSFET系列, SCT018W65G3AG
- STMicroelectronics N型沟道 消耗型 SiC 电源模块, Vds=1200 V, 12 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCT系列