ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=1200 V, 75 A, TO-263-7LA, 表面安装, 8引脚, SCT4018KWA系列

N
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包装方式:
RS 库存编号:
687-342P
制造商零件编号:
SCT4018KWATL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

75A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-263-7LA

系列

SCT4018KWA

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

18mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

21 V

最大功耗 Pd

267W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

170nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

4.5mm

宽度

10.2 mm

长度

15.4mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
TH
ROHM N 通道 SiC 功率 MOSFET 专为在各种应用中实现高效的电源管理而设计。该 MOSFET 的最大漏源电压为 1200V,接通电阻为 18mΩ,可优化太阳能逆变器和感应加热等高效系统的性能。它提供强大的热管理,接点温度范围高达 175°C,即使在严苛环境中也能确保可靠运行。该设备的开关速度快,适用于需要高频开关的应用,从而提高整体系统效率和性能。

低导通电阻可确保在运行期间将能量损失降至最低

支持快速开关速度,提高效率

设计便于并联操作,便于扩展

坚固的热特性可在极端条件下运行

无铅引线镀层符合 RoHS 环境安全标准

4.7mm 的宽爬电距离增强了在高压应用中的可靠性

适用于包括太阳能逆变器和直流/直流转换器在内的各种应用