ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, DFN8080T8LSHAAI, 表面安装, 8引脚, RY7P250BMTBC, RY7P250BM系列
- RS 库存编号:
- 687-343
- 制造商零件编号:
- RY7P250BMTBC
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB47.63 | RMB95.26 |
| 20 - 98 | RMB41.915 | RMB83.83 |
| 100 - 198 | RMB37.655 | RMB75.31 |
| 200 + | RMB29.58 | RMB59.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-343
- 制造商零件编号:
- RY7P250BMTBC
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | RY7P250BM | |
| 包装类型 | DFN8080T8LSHAAI | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.86mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 340W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 240nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 宽度 | 1.70 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 RY7P250BM | ||
包装类型 DFN8080T8LSHAAI | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.86mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 340W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 240nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 1.7mm | ||
宽度 1.70 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为要求卓越效率和可靠性的严苛应用而设计。此 MOSFET 特别适用于热插拔控制器和其他电源开关应用,其 1.86mΩ 的低导通电阻可确保在运行过程中将能量损失降至最低。该组件符合 RoHS 标准,不含卤素,是环保设计的安全选择。它具有 100% Rg 和 UIS 测试等先进功能,可确保在不同条件下性能稳健,适用于高性能和高可靠性电子电路。
低导通电阻,效率更高
Wide-SOA 特性,具有卓越的可靠性
设计用于处理高达 250A 的连续漏电流
±900A 时的高脉冲排放电流能力
出色的热管理,热阻为 0.44°C/W
适用于 -55 至 +175°C 的宽工作温度范围
符合 RoHS 和无卤标准。