制造商编号

ROHM N型沟道增强型单 MOSFET, Vds=100 V, DFN8080T8LSHAAI, 表面安装, 8引脚, RY7P250BM系列

RS 库存编号:: 687-343P
制造商零件编号:: RY7P250BMTBC
制造商:: ROHM

ROHM N型沟道增强型单 MOSFET, Vds=100 V, DFN8080T8LSHAAI, 表面安装, 8引脚, RY7P250BM系列

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制造商零件编号:: RY7P250BMTBC
制造商:: ROHM

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N型
	产品类型	单 MOSFET
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	DFN8080T8LSHAAI
	系列	RY7P250BM
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.86mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	340W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	240nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	1.7mm
	高度	0.8mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N型
	产品类型单 MOSFET
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 DFN8080T8LSHAAI
	系列 RY7P250BM
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.86mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 340W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 240nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 1.7mm
	高度 0.8mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RY7P250BMTBC

ROHM 功率 MOSFET 专为要求卓越效率和可靠性的严苛应用而设计。此 MOSFET 特别适用于热插拔控制器和其他电源开关应用,其 1.86mΩ 的低导通电阻可确保在运行过程中将能量损失降至最低。该组件符合 RoHS 标准,不含卤素,是环保设计的安全选择。它具有 100% Rg 和 UIS 测试等先进功能,可确保在不同条件下性能稳健,适用于高性能和高可靠性电子电路。

低导通电阻,效率更高

Wide-SOA 特性,具有卓越的可靠性

设计用于处理高达 250A 的连续漏电流

±900A 时的高脉冲排放电流能力

出色的热管理,热阻为 0.44°C/W

适用于 -55 至 +175°C 的宽工作温度范围

符合 RoHS 和无卤标准。

ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, DFN8080T8LSHAAI, 表面安装, 8引脚, RY7P250BM系列

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