ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 300 A, DFN8080T8LSHAAI, 贴片安装, 8引脚, RY7P250BM系列
- RS 库存编号:
- 687-343P
- 制造商零件编号:
- RY7P250BMTBC
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 98 | RMB41.915 |
| 100 - 198 | RMB37.655 |
| 200 + | RMB29.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-343P
- 制造商零件编号:
- RY7P250BMTBC
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 300 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | RY7P250BM | |
| 封装类型 | DFN8080T8LSHAAI | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 300 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 RY7P250BM | ||
封装类型 DFN8080T8LSHAAI | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为要求卓越效率和可靠性的严苛应用而设计。此 MOSFET 特别适用于热插拔控制器和其他电源开关应用,其 1.86mΩ 的低导通电阻可确保在运行过程中将能量损失降至最低。该组件符合 RoHS 标准,不含卤素,是环保设计的安全选择。它具有 100% Rg 和 UIS 测试等先进功能,可确保在不同条件下性能稳健,适用于高性能和高可靠性电子电路。
低导通电阻,效率更高
Wide-SOA 特性,具有卓越的可靠性
设计用于处理高达 250A 的连续漏电流
±900A 时的高脉冲排放电流能力
出色的热管理,热阻为 0.44°C/W
适用于 -55 至 +175°C 的宽工作温度范围
符合 RoHS 和无卤标准。
Wide-SOA 特性,具有卓越的可靠性
设计用于处理高达 250A 的连续漏电流
±900A 时的高脉冲排放电流能力
出色的热管理,热阻为 0.44°C/W
适用于 -55 至 +175°C 的宽工作温度范围
符合 RoHS 和无卤标准。