ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, AG194FPD3HRBTL, AG194FPD3HRB系列

N
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687-353
制造商零件编号:
AG194FPD3HRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-252 (TL)

系列

AG194FPD3HRB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

142W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

55nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

2.3mm

长度

10.50mm

宽度

6.80 mm

标准/认证

AEC-Q101, RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为需要稳健电源管理的应用而设计。该组件的工作电压最高为 100V,可处理高达 80A 的连续电流,在提供低导通电阻方面表现出色,从而将要求严苛的汽车系统中的功率损耗降至最低。无铅电镀并符合 RoHS 标准,可确保环境安全性和可靠性。值得注意的是,该设备完全符合 AEC-Q101 标准,因此适用于对性能和适应性要求极高的汽车应用。这款 MOSFET 的功率耗散能力为 142W,并进行了严格的雪崩测试,支持在各种高性能电路中可靠运行。

提供 6.2mΩ 的低导通电阻,可提高效率

额定连续漏电流为 80A,适用于高功率应用

击穿电压为 100V,可耐受电压尖峰

通过 AEC Q101 认证,可确保在汽车环境中的可靠性

雪崩测试,可在瞬态条件下安全运行

无铅,符合 RoHS 标准,符合环保标准

适用于汽车系统,增强了电源管理能力