ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3P08BBLHRB系列

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制造商零件编号:
RD3P08BBLHRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

P型

产品类型

单 MOSFET

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-252 (TL)

系列

RD3P08BBLHRB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

142W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

55nC

最高工作温度

175°C

长度

10.50mm

标准/认证

AEC-Q101, RoHS

宽度

6.8 mm

高度

2.3mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为需要高效切换的稳健应用而设计。该组件的最大额定电压为 100V,连续漏电流为 80A,可提供可靠的电源管理。它的低导通电阻仅为 6.2mΩ,可确保在运行过程中将能量损失降至最低,这对提高电源效率至关重要。这款 MOSFET 支持各种交换电流应用,符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车环境。其紧凑的 DPAK 封装可在狭小空间内提高散热性能。

低导通电阻可提高能效,减少发热

100V 漏源额定电压支持各种高压应用

80A 的连续漏电流可在重负载下提供可靠性能

通过 AEC Q101 认证,可确保汽车应用的高可靠性

紧凑型 TO-252 封装有助于更好的热管理和节省空间的设计

强大的雪崩能力,确保瞬态条件下的安全

142W 的高功耗可满足严苛的操作需求

无铅电镀,符合 RoHS 标准,符合环保实践