ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3L08BBJHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-358P
- 制造商零件编号:
- RD3L08BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB12.985 |
| 50 - 198 | RMB11.68 |
| 200 - 998 | RMB9.375 |
| 1000 + | RMB9.175 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-358P
- 制造商零件编号:
- RD3L08BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | RD3L08BBJHRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 最大功耗 Pd | 142W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 145nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 RD3L08BBJHRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 10.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
最大功耗 Pd 142W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 145nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.8 mm | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM P 通道 MOSFET 专为需要稳健电源管理的严苛应用而设计。该设备的最大额定电压为 -60V,电流容量为 ±80A,适用于汽车和工业应用。它采用 TO-252 封装,可确保高效的散热性能,功耗高达 142W。10.7mΩ 的低导通电阻可提高功率效率,是注重能源的设计的理想选择。此外,它还通过了 100% 雪崩测试和 AEC-Q101 认证,可确保在关键应用中的可靠性。
针对效率进行了优化,导通电阻低,可确保减少功率损耗
坚固的热性能可在要求严苛的环境中运行,最高接点温度为 175°C
适用于高电流应用,连续排放电流能力为 ±80A
通过 AEC Q101 汽车应用认证,确保符合严格的质量标准
嵌入式胶带包装便于自动化组装过程
完全符合雪崩等级,确保在瞬态条件下可靠运行
无铅镀层,符合 RoHS 标准,符合现代电子元件的环保标准