ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, AG501EGD3HRB系列
- RS 库存编号:
- 687-359P
- 制造商零件编号:
- AG501EGD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-359P
- 制造商零件编号:
- AG501EGD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大漏源电压 Vd | -40V | |
| 系列 | AG501EGD3HRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 145nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 最大功耗 Pd | 142W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.80 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大漏源电压 Vd -40V | ||
系列 AG501EGD3HRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 145nC | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
最大功耗 Pd 142W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.80 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM P 通道功率 MOSFET 专为汽车系统和各种应用中的高效能源管理而设计。这款坚固耐用的设备的最大漏源电压为 -40V,连续漏电流能力高达 -80A,在严苛的运行条件下具有卓越的可靠性。它的导通电阻仅为 4.9mΩ,可确保将能量损耗降至最低,从而提高整体系统效率和散热性能。这款 MOSFET 还通过了 AEC-Q101 认证,彰显了其适用于必须满足严格标准的汽车应用。
具有低导通电阻,可减少功率损耗并提高效率
通过 AEC Q101 认证,确保汽车和关键应用的可靠性
雪崩测试,确保在动态条件下的性能
支持 142W 的最大功耗,与高性能设计兼容
工作温度范围大,为 -55°C 至 175°C,可在各种环境中使用
无铅镀层,符合 RoHS 标准,符合现代环保标准
优化了包装规格,包括用于自动装配的嵌入式选项
保证雪崩能量等级,确保在瞬态事件期间稳健运行