ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=30 V, WLCSP-2020, 表面安装, 22引脚, AW2K21系列

N
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687-361P
制造商零件编号:
AW2K21AR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

WLCSP-2020

系列

AW2K21

安装类型

表面

引脚数目

22

最大漏源电阻 Rd

4.0mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

10 V

最大功耗 Pd

1.6W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

29nC

最高工作温度

150°C

高度

0.5cm

标准/认证

RoHS

长度

2cm

宽度

2 cm

汽车标准

COO (Country of Origin):
JP
ROHM 功率 MOSFET 专为在高效应用中实现卓越性能而设计。这款 Nch 共源 MOSFET 支持 30V 的最大漏电到源电压和 ±20A 的连续漏电流,是负载切换和保护功能的理想选择。该设备还符合 RoHS 标准,有助于实现现代电子产品的环保设计实践。

4.0mΩ 的低导通电阻可最大限度提高功率效率

高功率容量,额定功耗为 1.6W

采用 WLCSP 设计,针对小型封装应用进行了优化

无铅引线镀层增强了可焊接性和环保性

背面涂层可降低腐蚀风险并提高耐用性

-55°C 至 +150°C 的宽工作温度范围,确保在各种条件下的可靠性

包含 ESD 保护功能,可防止静电放电