ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-30 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3E08BBJHRBTL, RD3E08BBJHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-362
- 制造商零件编号:
- RD3E08BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB13.84 | RMB27.68 |
| 20 - 48 | RMB12.185 | RMB24.37 |
| 50 - 198 | RMB10.93 | RMB21.86 |
| 200 - 998 | RMB8.825 | RMB17.65 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-362
- 制造商零件编号:
- RD3E08BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 系列 | RD3E08BBJHRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 150nC | |
| 最大功耗 Pd | 142W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
系列 RD3E08BBJHRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC | ||
最大功耗 Pd 142W | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.8 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为要求低导通电阻和高电流处理能力的严苛应用而设计。这款坚固耐用的设备的工作最大漏源电压为 -30V,连续漏电流为 ±80A,可确保在电源管理系统中实现高效性能。其创新结构包括仅 1.05°C/W 的热阻,可优化可靠性并促进有效散热。这款 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证,适用于汽车应用,可在温度变化较大的环境中正常工作,并确保在恶劣条件下可靠运行。
提供 3.7mΩ 的低导通电阻,可提高效率并将能量损耗降至最低
脉冲排放电流能力为 ±160A,可适应高要求应用
栅极源电压额定值为 +5/-20V,确保通用操作和稳健控制
可安装在 DPAK 封装中,实现高效热管理和紧凑封装
雪崩测试,提高了在高应力电气环境中的可靠性
符合 AEC Q101 标准,适用于安全关键的汽车应用。