ROHM P型沟道增强型单 MOSFET, Vds=-30 V, 3针, TO-252 (TL), RD3E08BBJHRB系列

RS 库存编号:: 687-362
制造商零件编号:: RD3E08BBJHRBTL
制造商:: ROHM

ROHM P型沟道增强型单 MOSFET, Vds=-30 V, 3针, TO-252 (TL), RD3E08BBJHRB系列

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50 - 198	RMB17.575	RMB35.15
200 - 998	RMB17.045	RMB34.09
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RS 库存编号:: 687-362
制造商零件编号:: RD3E08BBJHRBTL
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	P型
	产品类型	单 MOSFET
	最大漏源电压 Vd	-30V
	系列	RD3E08BBJHRB
	包装类型	TO-252 (TL)
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.7mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	150nC
	最大功耗 Pd	142W
	最大栅源电压 Vgs	5V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.5mm
	标准/认证	AEC-Q101, RoHS
	宽度	6.8mm
	高度	2.3mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 P型
	产品类型单 MOSFET
	最大漏源电压 Vd -30V
	系列 RD3E08BBJHRB
	包装类型 TO-252 (TL)
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.7mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC
	最大功耗 Pd 142W
	最大栅源电压 Vgs 5V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.5mm
	标准/认证 AEC-Q101, RoHS
	宽度 6.8mm
	高度 2.3mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - RD3E08BBJHRBTL

ROHM 功率 MOSFET 专为要求低导通电阻和高电流处理能力的严苛应用而设计。这款坚固耐用的设备的工作最大漏源电压为 -30V,连续漏电流为 ±80A,可确保在电源管理系统中实现高效性能。其创新结构包括仅 1.05°C/W 的热阻,可优化可靠性并促进有效散热。这款 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证,适用于汽车应用,可在温度变化较大的环境中正常工作,并确保在恶劣条件下可靠运行。

提供 3.7mΩ 的低导通电阻,可提高效率并将能量损耗降至最低

脉冲排放电流能力为 ±160A,可适应高要求应用

栅极源电压额定值为 +5/-20V,确保通用操作和稳健控制

可安装在 DPAK 封装中,实现高效热管理和紧凑封装

雪崩测试,提高了在高应力电气环境中的可靠性

符合 AEC Q101 标准,适用于安全关键的汽车应用。

ROHM P型沟道增强型单 MOSFET, Vds=-30 V, 3针, TO-252 (TL), RD3E08BBJHRB系列

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