ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 80A, TO-252 (TL), 贴片安装, 3引脚, RD3E08BBJHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-362P
- 制造商零件编号:
- RD3E08BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB12.185 |
| 50 - 198 | RMB10.93 |
| 200 - 998 | RMB8.825 |
| 1000 + | RMB8.625 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-362P
- 制造商零件编号:
- RD3E08BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 80A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | RD3E08BBJHRB | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 80A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 RD3E08BBJHRB | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为要求低导通电阻和高电流处理能力的严苛应用而设计。这款坚固耐用的设备的工作最大漏源电压为 -30V,连续漏电流为 ±80A,可确保在电源管理系统中实现高效性能。其创新结构包括仅 1.05°C/W 的热阻,可优化可靠性并促进有效散热。这款 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证,适用于汽车应用,可在温度变化较大的环境中正常工作,并确保在恶劣条件下可靠运行。
提供 3.7mΩ 的低导通电阻,可提高效率并将能量损耗降至最低
脉冲排放电流能力为 ±160A,可适应高要求应用
栅极源电压额定值为 +5/-20V,确保通用操作和稳健控制
可安装在 DPAK 封装中,实现高效热管理和紧凑封装
雪崩测试,提高了在高应力电气环境中的可靠性
符合 AEC Q101 标准,适用于安全关键的汽车应用。