ROHM 双N沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=150 V, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, HP8KF7H系列
- RS 库存编号:
- 687-364P
- 制造商零件编号:
- HP8KF7HTB1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB11.23 |
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| 1000 + | RMB7.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-364P
- 制造商零件编号:
- HP8KF7HTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HP8KF7H | |
| 包装类型 | HSOP-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 62mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 26W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 双N | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HP8KF7H | ||
包装类型 HSOP-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 62mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 26W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 6.1 mm | ||
长度 6.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 设计用于在各种电子应用中高效管理功率。这款 MOSFET 具有 62mΩ 的低导通电阻和紧凑型 HSOP8 封装,可确保卓越的热管理和高可靠性。其规格支持 ±18.5A 的连续漏电流,适用于电机驱动等严苛任务。它具有出色的能效,并符合 RoHS 和无卤标准,可无缝集成到先进的电子设计中,同时确保对环境负责。
针对低导通电阻进行了优化,提高了整体效率
紧凑型 HSOP8 封装,可节省设计空间
适用于各种应用,包括电机驱动器
符合 RoHS 和无卤素环境安全要求
高连续和脉冲排放电流额定值,确保负载下的可靠性
出色的热管理,热阻额定值低
专为高性能开关应用而设计,延时最小
在 -55 至 +150°C 的宽温度范围内稳定运行