ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=800 V, TO-247, 表面安装, 3引脚, R8019KNZ4C13, R8019KNZ4系列
- RS 库存编号:
- 687-367P
- 制造商零件编号:
- R8019KNZ4C13
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 98 | RMB42.115 |
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| 200 + | RMB29.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-367P
- 制造商零件编号:
- R8019KNZ4C13
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | R8019KNZ4 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.265Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 65nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 16.24 mm | |
| 长度 | 40mm | |
| 高度 | 5.22mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 R8019KNZ4 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.265Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 16.24 mm | ||
长度 40mm | ||
高度 5.22mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道 MOSFET 专为在电子应用中实现高效性能而设计。该设备的最大漏源电压为 800V,连续漏电流能力为 19A,可有效管理大功率负载,同时保持低导通电阻。它设计具有先进的开关功能,可提供高效电路运行至关重要的快速响应时间。TO-247G 封装确保直接安装和出色的热性能,非常适合从工业系统到消费类电子产品等领域的电源管理。
接通电阻仅 0.265Ω,可提高能效
额定连续漏电流为 ±19A,可处理大功率
快速开关性能可优化动态电路运行
无铅镀层确保符合环保标准
稳健的雪崩额定值支持在瞬态条件下可靠运行
非常适合并行使用,可简化多个设备配置。