ROHM 双N沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=150 V, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, HT8KF6H系列
- RS 库存编号:
- 687-371P
- 制造商零件编号:
- HT8KF6HTB1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB5.615 |
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| 200 - 998 | RMB4.06 |
| 1000 + | RMB3.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-371P
- 制造商零件编号:
- HT8KF6HTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 系列 | HT8KF6H | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 214mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 14W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 长度 | 3.45mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
系列 HT8KF6H | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 214mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 14W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.4nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.4 mm | ||
高度 0.8mm | ||
长度 3.45mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为在各种应用中实现高效电源管理而设计。该组件具有强大的电气特性,包括 ±7.0A 的最大连续漏电流,确保在高负载下可靠运行。其无铅和无卤素材料符合 RoHS 标准,有助于实现环保设计。这款 MOSFET 的热阻经过优化,可有效散热,从而在各种电子应用中提高设备的使用寿命和性能。
低导通电阻,提高效率
高功率容量,采用紧凑型 HSMT8 模制封装
无铅电镀符合 RoHS 法规
无卤素设计,支持环保举措
适用于电机驱动器和电源管理系统
最大接点温度额定值高达 150°C
出色的最大功耗为 14W
可靠的雪崩特性,最大能量为 0.24mJ