ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, 40 A, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, AG087FGD3HRB系列

N
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制造商零件编号:
AG087FGD3HRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

-40V

包装类型

TO-252 (TL)

系列

AG087FGD3HRB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.0mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.9nC

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

53W

最高工作温度

175°C

宽度

6.80 mm

长度

10.50mm

高度

2.3mm

标准/认证

RoHS, AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

ROHM 功率 MOSFET 专为汽车和工业应用而设计。这款多用途组件的最大漏源电压为 40V,可在电源管理系统中实现高效控制。它采用先进技术,导通电阻低至 7.0mΩ,可优化功率效率和热性能。该 MOSFET 符合 AEC-Q101 标准,即使在严苛的汽车环境中也能可靠工作,是寻求耐用解决方案的工程师的理想选择。其强大的耐热性和通过雪崩测试的设计可确保在各种运行条件下具有卓越的可靠性,从而巩固其作为高电流应用的首选的地位。

额定连续漏电流为 ±40A,可在严苛环境中提供可靠的性能

断流电压为 40V,可确保在过电压条件下提供强大的保护

1.0V 至 2.5V 的低栅极阈值电压有助于实现更平稳的操作和控制

符合 AEC Q101 标准,彰显了其对汽车应用的适用性

出色的耐热性为 2.80°C/W,可增强散热性和使用寿命

100% 通过雪崩测试,可在高压力环境中安心使用

采用 DPAK 封装,在优化占地面积的同时,还支持有效的热管理

适用于汽车和其他高电流应用中的高效设计