ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, HSMT-8AG, 表面安装, 8引脚, RQ3P120BKFRATCB, RQ3P120BKFRA系列
- RS 库存编号:
- 687-380
- 制造商零件编号:
- RQ3P120BKFRATCB
- 制造商:
- ROHM
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-380
- 制造商零件编号:
- RQ3P120BKFRATCB
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HSMT-8AG | |
| 系列 | RQ3P120BKFRA | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 58mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 300 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HSMT-8AG | ||
系列 RQ3P120BKFRA | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 58mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.9nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 300 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.30mm | ||
高度 0.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为在各种应用中实现高效的能源管理而设计。该 MOSFET 能够承受高达 100V 的漏源电压和 ±12A 的连续额定电流,在功率密度和耐热性方面都表现出色。紧凑型 HSMT8AG 封装可显著减少 64% 的 PCB 空间要求,是要求可靠性和效率的现代电子设计的理想选择。它通过了 AEC-Q101 认证,可确保在汽车应用中稳健运行,适用于从 ADAS 到照明解决方案的各种用途。
小型高功率封装可优化 64% 的 PCB 空间
通过创新的端子和镀层处理实现了高安装可靠性
AEC Q101 认证可确保汽车应用的可靠性
其设计可处理 40W 的最大功耗,实现有效的热管理
58mΩ 的低接通电阻可提高效率和性能
稳健的栅极-源电压容差为 ±20V,扩展了集成可能性
雪崩额定值为 8A,能量耗为 5.2mJ,可在操作过程中提供额外保护
在 -55 至 +150°C 的温度范围内高度可靠运行