ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3G04BBJHRBTL, RD3G04BBJHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-383
- 制造商零件编号:
- RD3G04BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB6.365 | RMB12.73 |
| 20 - 48 | RMB5.615 | RMB11.23 |
| 50 - 198 | RMB5.065 | RMB10.13 |
| 200 - 998 | RMB4.06 | RMB8.12 |
| 1000 + | RMB3.96 | RMB7.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-383
- 制造商零件编号:
- RD3G04BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大漏源电压 Vd | -40V | |
| 系列 | RD3G04BBJHRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24.0mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 53W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大漏源电压 Vd -40V | ||
系列 RD3G04BBJHRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 24.0mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27.6nC | ||
最大功耗 Pd 53W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.8 mm | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 性能卓越,专为高效应用而设计。该组件可有效管理电源,最大排放源电压为 -40V,连续电流处理为 ±40A,适用于管理各种系统中的电气负载。24.0mΩ 的低导通电阻可确保将能量损耗降至最低,从而提高效率,而强大的热特性则使其能够在高达 175°C 的接点温度下可靠运行。该产品不仅符合 AEC-Q101 标准,还通过了 100% 雪崩测试,可确保在关键环境中可靠运行。它是汽车系统、照明和工业控制应用的完美选择。
低导通电阻设计,可减少能量损耗
出色的耐热性可增强在高温环境中的可靠性
AEC Q101 认证可确保汽车应用的质量和性能
100% 雪崩测试增强了组件在极端条件下的可靠性
压花包装便于搬运和集成到系统中
与各种应用兼容,包括 ADAS 和照明
±80A 的高脉冲漏电流能力支持严苛的负载场景
最小栅极电荷提高了开关速度,提高了整体效率