ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3N03BAT系列
- RS 库存编号:
- 687-384P
- 制造商零件编号:
- RD3N03BATTL1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB5.515 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-384P
- 制造商零件编号:
- RD3N03BATTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | RD3N03BAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 56mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 54W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 50nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 RD3N03BAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 56mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 54W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
高度 2.3mm | ||
宽度 6.8 mm | ||
长度 10.50mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM P 通道功率 MOSFET 专为在各种应用中提供高效运行而设计,包括电机驱动器和开关电路。该设备的最大漏源电压为 -80V,连续漏电流能力高达 -30A,可在严苛条件下实现稳健性能。56mΩ 的低导通电阻可确保卓越效率,从而将运行期间的能量损耗降至最低。此外,TO-252 封装可轻松集成到电子设计中,在紧凑的外形中提供通用性和可靠性。RD3N03BAT 还符合 RoHS 和无卤标准,是环保设计的合适选择。
低导通电阻,可提高效率并减少热管理
在紧凑的 TO-252 封装中提供高功率容量,用途广泛
符合 RoHS 和无卤素标准,可确保现代电子产品的环境安全
广泛的测试,包括 Rg 和 UIS,确保可靠的运行和性能
-55 至 +150°C 的宽工作温度范围支持各种环境条件
设计具有可靠的雪崩能量等级,可在瞬态条件下提高安全性