ROHM 双N沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, HT8MD5HTB1, HT8MD5HT系列
- RS 库存编号:
- 687-385
- 制造商零件编号:
- HT8MD5HTB1
- 制造商:
- ROHM
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-385
- 制造商零件编号:
- HT8MD5HTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 系列 | HT8MD5HT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 165mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 13.0W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.45mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 双N | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
系列 HT8MD5HT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 165mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 13.0W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.45mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 0.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 专为多种电子应用而设计。该组件采用双 N 通道和 P 通道配置,性能卓越,可在电机驱动器和其他严苛电路中实现有效的电源管理。低导通电阻等功能可确保在运行过程中将功率损耗降至最低,而 HSMT8 封装则可在不影响性能的情况下实现紧凑封装。HT8MD5H 支持宽电压范围,符合 RoHS 和无卤标准,是环保设计的理想选择。这款 MOSFET 的设计充分考虑了可靠性,适用于在不同条件下需要稳健性能的各种应用。
低导通电阻设计可提高电源应用的效率
高功率功能,采用紧凑的 HSMT8 封装,简化了集成
结构符合 RoHS 标准,无卤素,支持环保设计
通过 100% Rg 和 UIS 测试,在严苛的运行条件下确保可靠性
针对电机驱动应用进行了优化,可确保有效的功率控制
宽电压范围可确保在各种电子环境中的通用性
其设计可承受高达 150°C 的最高接点温度